三星投资天价扩大存储芯片及感光元件生产规模

三星投资天价扩大存储芯片及感光元件生产规模

三星作为全球闪存芯片的龙头企业,近日宣布计划扩大其 NAND 闪存芯片的生产。三星计划投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能,应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求。 据SamMobile消息,新工厂在前月已开始动工,三星表示闪存芯片的需求量会因5G、人工智能以及万物互联的发展而迅速增长,而新工厂……

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  • 2020-06-01 20:00:56
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中国存储芯片实现历史性突破 明年可占全球5%份额

中国存储芯片实现历史性突破 明年可占全球5%份额

在中国去年进口的3000多亿美元芯片产品中,存储芯片大概占了1/3,价值千亿美元的内存、闪存芯片国产率基本为0。不过今年国内在内存及闪存领域已经实现了0的突破,预计2020年就能占到全球存储芯片市场的5%。 国内的存储芯片今年有两大阵营进入量产阶段,其中紫光集团控股的长江存储今年9月份量产了64层堆栈的3D闪存,采用……

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  • 2019-11-22 20:19:34
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三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

10月7日,三星电子宣布率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。 总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储……

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  • 2019-10-07 17:13:41
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